MPCVD設備在金剛石領域的優(yōu)點

金剛石也被譽為半導體，這是因為它有著寬帶隙和高擊穿電場以及高載流子遷移率和高熱導率的特點。但是，在企業(yè)的使用過程中，大量需要的是大尺寸和高品質單晶金剛石，成為了制約其應用的主要瓶頸。所以，在不斷的嘗試與努力中，MPCVD設備由于它的微波能量沒有污染，氣體原料相對純凈，并且沒有催化劑和雜質的摻入等一些壓倒性的優(yōu)勢，成為眾多制備方法中很有發(fā)展前景的技術之一。MPCVD設備主要是無極放電，所以等離子體純凈，同時它的微波放電區(qū)集中而不擴展，所以就能激活產生各種原子基團如原子氫等，產生的離子的大動能低，所以不會蝕刻已生成的金剛石，對金剛石起到保護作用。
由于MPCVD設備的微波功率調節(jié)連續(xù)平緩，使得沉積溫度可以連續(xù)穩(wěn)定變化，這就讓設備克服了直流電弧法中因電弧的點火及熄滅，而且對襯底和金剛石膜的巨大熱沖擊造成在DC plasma-jet CVD中金剛石膜很容易從基片上脫落的缺點，使得金剛石膜不容易脫落。而與熱絲法HFCVD相比，MPCVD設備避免了熱絲法中因為熱金屬絲蒸發(fā)而對金剛石膜的產生污染，以及熱金屬絲對強腐蝕性氣體，比如一些高濃度氧和鹵素氣體等十分敏感的缺點，使得在工藝中能夠使用的反應氣體的種類比HFCVD中多許多，就會造成一些不必要的損失。與氧-乙炔燃燒火焰法相比較，通過對MPCVD沉積反應室結構的結構調整，可以在沉積腔中產生大面積而又穩(wěn)定的等離子體球，有利于大面積、均勻地沉積金剛石膜，因而MPCVD設備的微波等離子體法制備金剛石膜的優(yōu)越性在所有設備中顯得十分的突出。

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